耀達(dá)發(fā)精密公司長(zhǎng)期供應(yīng)高精度金屬掩膜版,不銹鋼掩膜版,價(jià)格實(shí)惠,量大從優(yōu)。
產(chǎn)品可以應(yīng)用于電子束蒸發(fā),熱蒸發(fā),磁控濺射等設(shè)備中,用來(lái)制備太陽(yáng)能電池,光電探測(cè)器,LED,激光器,場(chǎng)效應(yīng)晶體管等各種器件電極及各種薄膜材料圖形設(shè)計(jì)。
我們已與北京大學(xué),清華大學(xué),北京大學(xué),華東理工大學(xué),西南大學(xué),成都科技大學(xué),西安交通大學(xué),汕頭大學(xué),河北工業(yè)大學(xué),哈爾濱工業(yè)大學(xué),中科院長(zhǎng)春化學(xué)所,中科院蘇州納米所,中科院深圳先進(jìn)院,蘭州物化的,合肥物質(zhì)所,武漢大學(xué),華中科技大學(xué),中科院昆明植物研究所,北京航空航天大學(xué),山東大學(xué),浙江大學(xué),吉林大學(xué),華南理工,中山大學(xué),東南大學(xué),蘇州大學(xué),太原理工大學(xué)等國(guó)內(nèi)眾多的高校和科研院所以及高技術(shù)企業(yè)形成了長(zhǎng)期合作關(guān)系,積累了豐富的設(shè)計(jì)和制備經(jīng)驗(yàn),具備諸多優(yōu)勢(shì)。
在材質(zhì)的選取方面,我們選用高韌性的SUS304 H不銹鋼材料,這樣做出來(lái)的掩膜版不但精度高,而且表面光滑,產(chǎn)品不易受彎折而變形,經(jīng)久耐用,同時(shí)還能夠讓掩膜版板與器件保持很緊密的貼合,減少陰影效果。
我們所采用的不銹鋼厚度包括0.03mm,0.05mm,0.06mm,0.08mm到1 mm的各種尺寸,采用較薄的不銹鋼制備出來(lái)的掩膜版所產(chǎn)生的陰影效果會(huì)更少,擾度更可控。
本公司承接各種圖案定制,客戶最好能提供包含尺寸的CAD版設(shè)計(jì)圖。如果畫(huà)圖實(shí)在有困難,我們可以根據(jù)客戶描述來(lái)繪制,同時(shí)我們還能對(duì)客戶的掩膜版設(shè)計(jì)提供一些建議。
下面先舉幾個(gè)掩膜版的實(shí)例,后面再解釋幾個(gè)掩膜版的設(shè)計(jì)技巧。
如果客戶自己的設(shè)備有較好的樣品架,可以只考慮做一片上面所示的單片掩膜版就行。如果沒(méi)有較好的固定器件的方案,建議采用我們的疊層設(shè)計(jì)法。下面以0.1mm的柵狀電極為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
耀達(dá)發(fā)精密公司的掩膜版制備工藝主要采用曝光腐蝕工藝(與光刻法在硅表面制備高精度的圖案類似),這種方法可以根據(jù)客戶要求靈活設(shè)計(jì)各種圖案,且制備出來(lái)的圖案尺寸標(biāo)準(zhǔn)。我們的圖案尺寸精度可以達(dá)到0.01mm以上,邊緣銳利無(wú)毛刺,開(kāi)孔直線度好,真圓度好。
客戶還可以一次性設(shè)計(jì)幾個(gè)不同厚度的方格板,這樣自己就可以通過(guò)將不同厚度的方格板疊合在一起形成任意組合的厚度,以便于用于不同厚度器件的電極蒸鍍。如果想進(jìn)一步固定電池,則可以設(shè)計(jì)一個(gè)如左下角一樣的光板覆蓋到方格板上面,這樣一方面能完全將器件固定,在一些需要將掩膜版豎放或反放的設(shè)備中可以讓器件不掉或松動(dòng);另一方面還能在蒸鍍電極時(shí)防止器件背面被金屬蒸汽污染。另外,由于掩膜版比較薄,若面積過(guò)大可能會(huì)發(fā)生一定的彎曲,客戶還可以設(shè)計(jì)如左上角所示的掩膜版固定片壓住下面的掩膜版,或者通過(guò)設(shè)計(jì)更加密集的螺絲孔,使掩膜版更加平整穩(wěn)固。
在IC加工過(guò)程中,需要使用中間掩膜版和光掩膜版。我們定義中間掩模版是為整個(gè)基片曝光而必須分步和重復(fù)的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍,但在一些情況下也用相等的圖像。光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉(zhuǎn)移到整個(gè)硅片中(或另一張光掩模版上)的工具。中間掩模版有兩種應(yīng)用:1)把圖形復(fù)印到工作掩模版上。2)在分步重復(fù)對(duì)準(zhǔn)儀中把圖像直接轉(zhuǎn)移到硅片上。在1X硅片步進(jìn)光刻機(jī)中,掩模版上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大;在縮小步進(jìn)光刻機(jī)中,掩模版上的圖形是放大的真實(shí)器件圖像。
在過(guò)去的十年,光學(xué)掩膜版圖形的制作(PG)領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)步。圖形可以方便地制作,用成象的方法或使一系列矩形圖形精確地定位到鉻片上。因?yàn)镮C設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的圖形通常是多邊型的,它們必須被分解成矩形,稱作“分割”數(shù)據(jù)。關(guān)系圖形產(chǎn)生器(OPG)的關(guān)鍵部件是光孔(或快門(mén)),和一個(gè)可移動(dòng)的臺(tái)階。快門(mén)被安裝在可移動(dòng)的頭上,它可以被旋轉(zhuǎn)以獲得需要的θ值,快門(mén)尺寸能夠控制產(chǎn)生特定H、W的矩形來(lái)制作圖形。用10×的鏡頭把矩形成像到一個(gè)鍍有鉻的玻璃圓片的光敏層上。用激光控制X-Y臺(tái)面精確地定位圓片。由臺(tái)面設(shè)置光孔所定義的矩形的中心坐標(biāo)X和Y。光孔的尺寸可以控制在±7.5μm,導(dǎo)致掩膜版上尺寸的±0.75μm的不確定性(縮小10倍后)。這是關(guān)鍵尺寸的控制。如果生產(chǎn)10×的掩膜版,在硅片上產(chǎn)生±0.075的誤差。除孔的尺寸產(chǎn)生的錯(cuò)誤外,還有掩膜版和硅片加工時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。由于臺(tái)階受激光控制,所以X,Y的定位錯(cuò)誤非常小。當(dāng)仍然會(huì)導(dǎo)致定位錯(cuò)誤。這樣的錯(cuò)誤導(dǎo)致成品率的下降。
OPG的成品率依賴于掩膜版的復(fù)雜程度,數(shù)據(jù)分割程序的優(yōu)化,和要求的定位精度。一個(gè)調(diào)制得很好的AZ1370機(jī)器在產(chǎn)生一個(gè)優(yōu)化的圖形時(shí),有每小時(shí) 10,000的曝光產(chǎn)率。一個(gè)復(fù)雜的VLSI電路有超過(guò)100,000的的矩形,要求10個(gè)多小時(shí)生產(chǎn)一個(gè)掩膜版。在這個(gè)期間要求溫度的變化不能大于± 0.5F,這樣才不增加定位錯(cuò)誤。掩膜版的質(zhì)量不能被確定,直到鉻顯影、蝕刻后。在那時(shí)的探傷就是10小時(shí)工作的檢驗(yàn)。
我們不僅加工掩膜版,還專注于各種不銹鋼蝕刻工藝的研發(fā)及新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。
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